VN2210N3-G P002
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Kynix 부품 번호: KY56-VN2210N3-G P002
제조업체 부품 번호:

VN2210N3-G P002

제품 분류: 트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일
제조업체: Microchip Technology
제품 요약: MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
  datasheetVN2210N3-G P002 Datasheet
꾸러미:
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무연 여부 / RoHS 준수 여부: 무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL): 3(168 시간)
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제조업체: Microchip Technology
제품 분류: 트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일
포장: Reel
단위 중량: 0.016000 oz
장착 스타일: Through Hole
패키지/케이스: TO-92-3
기술: Si
채널 개수: 1 Channel
구성: Single
트랜지스터 유형: 1 N-Channel
Pd - 전력 발산: 1 W
최고 작동온도: + 150 C
최저 작동온도: - 55 C
하강 시간: 30 ns
상승 시간: 10 ns
Vgs-게이트 소스 전압: 20 V
Id - 연속 드레인 전류: 1.2 A
Vds - 드레인 소스 항복 전압: 100 V
Rds On - 드레인 소스 저항: 500 mOhms
트랜지스터 극성: N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간: 50 ns
표준 턴-온 지연 시간: 10 ns
채널 모드: Enhancement
검색 소자 모델 : "VN221" 포함 단어 2
부품 번호 제조업체 꾸러미 수량 제품 요약
VN2210N3-G P005 Microchip Technology 0 MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
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